四氟化碳在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。





四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無(wú)色、無(wú)臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.四氟化碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì),在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四1氯化碳。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾,通過(guò)控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無(wú)機(jī)化合物。零下198 °C時(shí),四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。

您好,歡迎蒞臨安徽譜純,歡迎咨詢...
![]() 觸屏版二維碼 |